Простийпошук |
Розширенийпошук |
Покажчики
|
Професійний пошук |
Рубрикатор НБУВ |
Розподілений пошук |
Бази даних
Наукова періодика України - результати пошуку
Книжкові видання та компакт-дискиЖурнали та продовжувані виданняАвтореферати дисертаційРеферативна база данихНаукова періодика УкраїниТематичний навігаторАвторитетний файл імен осіб
 |
Для швидкої роботи та реалізації всіх функціональних можливостей пошукової системи використовуйте браузер "Mozilla Firefox" |
|
|
Повнотекстовий пошук
| Знайдено в інших БД: | Книжкові видання та компакт-диски (18) | Реферативна база даних (6) |
Список видань за алфавітом назв: Авторський покажчик Покажчик назв публікацій  |
Пошуковий запит: (<.>A=Кушнір Б$<.>) | |||
|
Загальна кількість знайдених документів : 9 Представлено документи з 1 до 9 |
|||
| 1. | 
Кушнір Б. В. Топологія поверхні тонкої оксидної плівки ZnO, сформованої на поверхні шаруватого кристалу GaSe [Електронний ресурс] / Б. В. Кушнір, З. Р. Кудринський, В. М. Камінський, В. В. Хомяк // Фізика і хімія твердого тіла. - 2014. - Т. 15, № 4. - С. 763-766. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/PhKhTT_2014_15_4_15 За допомогою методу магнетронного напилення створено гетероструктуру n-ZnO - p-GaSe. Досліджено топологію поверхні тонкої оксидної плівки ZnO, що сформована на свіжосколотій поверхні шаруватого кристалу GaSe; встановлено область спектральної чутливості. Показано, що плівка ZnO має гексагональну структуру. За допомогою методу АСМ-зображень встановлено, що тонка оксидна плівка ZnO має зернисту структуру; виявлено багаточисленні канали, що свідчать про складний характер змочування підкладки оксидом цинку. | ||
| 2. | 
Ковалюк З. Д. Топологія поверхні тонкої оксидної плівки ZnCdO гетеропереходу n-ZnCdO - p-GaSe [Електронний ресурс] / З. Д. Ковалюк, В. М. Катеринчук, З. Р. Кудринський, Б. В. Кушнір, В. В. Хомяк // Сенсорна електроніка і мікросистемні технології. - 2015. - Т. 12, № 2. - С. 78-81. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/seimt_2015_12_2_11 Методом високочастотного магнетронного напилення вперше створено гетероструктуру n-Zn | ||
| 3. | 
Катеринчук В. М. Фоточутлива гетероструктура GaTe — наноструктурований діелектрик — InSe [Електронний ресурс] / В. М. Катеринчук, Б. В. Кушнір, З. Р. Кудринський, З. Д. Ковалюк, О. С. Литвин // International scientific journal. - 2016. - № 4(2). - С. 14-18. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/mnj_2016_4(2)__5 | ||
| 4. | 
Катеринчук В. М. Фотоелектричні властивості гетеропереходів власний оксид - p-In4Se3 [Електронний ресурс] / В. М. Катеринчук, З. Д. Ковалюк, Б. В. Кушнір, О. С. Литвин // Журнал нано- та електронної фізики. - 2016. - Т. 8, № 3. - С. 03032-1-03032-4. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/jnef_2016_8_3_34 За допомогою методу термічного окиснення напівпровідникової підкладки створено новий гетероперехід власний оксид - p-In4Se3. На основі аналізу електричних і фотоелектричних характеристик гетеропереходу побудовано його якісну зонну діаграму. Особливістю даного гетеропереходу є механізм протікання струму через бар'єр, який визначається не дифузією носіїв, а термоелектронною емісією. Наведено також АСМ-зображення поверхні оксидного шару та спектр фоточутливості досліджуваного гетеропереходу. | ||
| 5. | 
Літовченко П. І. Удосконалення цільової функції для проектування механічних приводів раціональної структури [Електронний ресурс] / П. І. Літовченко, Л. П. Іванова, В. М. Нечипоренко, Б. М. Кушнір, В. М. Маслій // Збірник наукових праць Національної академії Національної гвардії України. - 2016. - Вип. 2. - С. 77-81. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/znpavs_2016_2_16 | ||
| 6. | 
Ковалюк З. Д. Гетеропереходи на основі шаруватих кристалів In4Se3 [Електронний ресурс] / З. Д. Ковалюк, В. М. Катеринчук, Б. В. Кушнір, М. В. Товарницький // Журнал фізики та інженерії поверхні. - 2016. - Т. 1, № 3. - С. 242-245. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/jsphen_2016_1_3_3 | ||
| 7. |
Катеринчук В. М. Топологія та фотоелектричні властивості гетероструктури p-GaTe – n-InSe [Електронний ресурс] / В. М. Катеринчук, Б. В. Кушнір, З. Р. Кудринський, З. Д. Ковалюк, І. Г. Ткачук, О. С. Литвин // Фізика і хімія твердого тіла. - 2016. - Т. 17, № 4. - С. 507-510. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/PhKhTT_2016_17_4_11 Досліджено фотоелектричні властивості гетеропереходів p-GaTe - n-InSe, що сформовані за допомогою методу механічного контакту окисненої пластини GaTe з ван-дер-ваальсовою поверхнею InSe. За допомогою АСМ-зображень встановлено, що на гетеромежі p-GaTe - n-InSe присутній тонкий діелектричний шар власного оксиду Ga | ||
| 8. | 
Таранчук А. А. Чисельно-аналітичне моделювання механічних коливань кварцових п'єзоелементів ат-зрізу [Електронний ресурс] / А. А. Таранчук, Б. В. Кушнір // Вимірювальна та обчислювальна техніка в технологічних процесах. - 2019. - № 1. - С. 32-38. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/vott_2019_1_8 | ||
| 9. | 
Боледзюк В. Б. Вплив інтеркалювання нікелем на властивості шаруватих кристалів InSe [Електронний ресурс] / В. Б. Боледзюк, З. Д. Ковалюк, З. Р. Кудринський, Б. В. Кушнір, О. С. Литвин, А. Д. Шевченко // Фізична інженерія поверхні. - 2014. - Т. 12, № 2. - С. 184-189. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/Phip_2014_12_2_7 | ||
Попередній перегляд: 
Реферативна БД
 |
| Відділ наукової організації електронних інформаційних ресурсів |
 Пам`ятка користувача |